Как утверждает ресурс ITHome, Netac уже получила первую партию микросхем от Micron под кодом IFA45 Z9ZSB. Каждая DRAM имеет ёмкость 2Gx8 и рассчитана на работу с таймингом CL40. Чипы DDR5 DRAM основаны на узле 1znm и имеют размеры 11×9 мм или 99 мм2. В прошлом году Micron заявляла, что её память DDR5 может работать со скоростью до 6400 МТ/с, а 10 000, безусловно, намного выше этого числа.
Память DDR5 с частотой 10 000 МГц потребует для работы высокое напряжение, из-за чего она будет сильно нагреваться. Известно, что микросхемы DDR5 могут работать при 2,6 В. Следующей потенциальной проблемой могут стать материнские платы, способные работать с памятью DDR5 с тактовой частотой 10 000 МГц.
Netac – не единственная компания, которая работает над созданием DDR5 с рекордной частотой. Недавно Samsung объявила о создании первого в мире модуля DDR5 ёмкостью 512 ГБ, хотя и не таким быстрым, как решение Netac. Максимальная скорость памяти южнокорейского производителя составит 7200 МТ/с.