Компания Samsung Electronics анонсировала новую модель чипа памяти сверхвысокой пропускной способности, обеспечивающую самую большую ёмкость среди аналогов на рынке. Южнокорейский гигант утверждает, что использование HBM3E 12H позволяет повысить производительность более чем на 50%.
Благодаря 12-слойному стеку чип HBM3E 12H обеспечивает пропускную способность до 1280 ГБ/с и ёмкость до 36 ГБ, что представляет собой значительный прогресс в производительности и емкости по сравнению с предыдущими поколениями. Постоянное совершенствование материала NCF компанией Samsung привело к тому, что зазор между чипами в отрасли стал наименьшим в семь микрометров, что увеличило вертикальную плотность более чем на 20% по сравнению с HBM3 8H.
HBM3E 12H является частью стратегии Samsung Electronics по разработке основных технологий для высокопроизводительных устройств хранения данных HBM. Этот продукт поможет компании сохранить лидерство на рынке памяти большой ёмкости в эпоху искусственного интеллекта. Новое решение, разработанное корейским производителем, может значительно улучшить возможности работы с моделями AI, такими как ChatGPT OpenAI, для которых требуется большое количество высокопроизводительных микросхем памяти.
Используя HBM3E 12H, модели ИИ смогут запоминать детали прошлых разговоров и предпочтения пользователей, что поможет им генерировать ответы, близкие к человеческим.
Samsung уже начала предоставлять образцы нового чипа памяти своим клиентам, массовое производство запланировано на первую половину текущего года. В сентябре компания заключила соглашение с NVIDIA на поставку чипов памяти с высокой пропускной способностью.